We find this IMO contact film exhibits ohmic contact with low contact resistance after annealing under nitrogen ambient. 我们发现此种材料在氮气底下退火后，可以形成欧姆接触，并且有很低的特徵接触阻抗。
The silicon carbide epitaxial region may form a non-ohmic contact with the Schottky contact. 碳化硅外延区可以形成一与肖特基接触的非欧姆接触。
